Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 128 Мбит при = 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Правильный ответ:

• # При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 5400 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 25 мм, а ширина лазерного пучка 680 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
• # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 1 Гбит?
• # Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний : = 5 ГГц [Большая Картинка]
• # Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.