Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 22 нм
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 22 нм
вопросПравильный ответ:
3,1*107 бит/мм2
1,2*108 бит/мм2
2,4*108 бит/мм2
5,1*108 бит/мм2
1,3*109 бит/мм2
Сложность вопроса
32
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт защитил. Иду пить отмечать экзамен intuit
19 июн 2020
Аноним
Очень сложные тесты
19 окт 2019
Аноним
Я завалил сессию, почему я не углядел этот чёртов сайт с всеми ответами по тестам интуит в начале года
16 май 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 1,6 мс после начала освещения?
- # Рассчитайте мощность электронного "луча" в каждом пикселе цветного плоского монитора на основе УНТ, если известны напряжение между анодом и катодом и ток холодной эмиссии . Оцените также энергетическую мощность излучения от одного пикселя такого экрана, если выход катодолюминесценции составляет 16%. = 75 В, = 2,4 мкА.
- # Оцените мощность, которая в среднем рассеивается на один вентиль комплементарной логики при использовании полевых транзисторов на полосках графена, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 1,5 мкА, при условиях, что период поступления сигналов в 2,5 раза превышает время задержки и: напряжение питания составляет ± 4,5 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 20 аФ. (ответ укажите в мкВт). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Какой вектор на сфере Блоха соответствует состоянию кубита, описываемому заданной волновой функцией ? Укажите угловые координаты этого вектора. .
- # Cпиновый кубит находится в базовом состоянии и должен быть переведен -радиоимпульсом в смешанное состояние, которое описывается волновой функцией \frac{\sqrt{2}}{2} [\Psi(|1\rangle)+\Psi(|0\rangle)] \approx 0,70711\Psi(|1\rangle) + 0,70711\Psi(|0\rangle). Напишите выражение для волновой функции нового состояния кубита, в который он фактически перейдет, если длительность радиоимпульса будет на короче расчетной.