Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
4,02
Сложность вопроса
71
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я провалил сессию, за что я не углядел этот чёртов сайт с ответами по тестам интуит до зачёта
18 янв 2019
Аноним
Я завалил сессию, какого рожна я не увидел этот сайт с ответами с тестами intuit до зачёта
30 мар 2018
Аноним
Экзамен сдал на пять с минусом. Ура
16 фев 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния на 0,1 нм при условии, что работа выхода электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
- # Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 197)
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. .
- # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.