Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3? [картинка]
На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3?
вопросПравильный ответ:
защитный слой, защищает рабочие слои от влияния внешней среды и от механических повреждений
магнитожесткий слой с осью легкого намагничивания, ориентированной перпендикулярно к плоскости слоя, именно в нем записывается, сохраняется и считывается информация
промежуточные слои с тщательно подобранным химическим составом, которые позволяют минимизировать внутренние магнитострикционные напряжения в системе
антиферромагнитный слой, нужен для магнитной развязки соседних противоположно намагниченных слоев
Сложность вопроса
64
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил экзамен, почему я не увидел этот великолепный сайт с ответами по интуит до того как забрали в армию
30 окт 2020
Аноним
Я провалил зачёт, какого рожна я не углядел данный сайт с решениями по тестам интуит до того как забрали в армию
23 янв 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 3, 4, 8 и 13? [Большая Картинка]
- # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
- # Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилиндия, требуемую для химического осаждения пленки толщиной 50 нм и площадью 3х4 см2 с использованием реакции (CH_3)_3In+AsH_3\rightarrow InAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
- # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
- # Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. Через ЕHF канал радиосвязи информация передавалась на волне 1,75 мм. С помощью следующего поколения гетеротранзисторов удалось перейти на субмиллиметровую волну 857 мкм. На сколько Гбит/с выросла скорость передачи данных в этом канале? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.