Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 12 нм, а расстояние между ними 5 нм
Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 12 нм, а расстояние между ними 5 нм
вопросПравильный ответ:
7,99*1011 бит/см2
7,88*1011 бит/см2
7,76*1011 бит/см2
Сложность вопроса
79
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
ответ подошёл
16 сен 2018
Аноним
Это очень простецкий тест интуит.
16 ноя 2016
Аноним
Если бы не данные ответы - я бы не справился c этими тестами интуит.
17 окт 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана структура магнитной головки в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3 и 4? [Большая Картинка]
-
#
Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации
и соответствующий ему магнитный спин-ток равен
.
-
#
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время
, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна
.
-
#
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 2х3 нм. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
-
#
Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний
:
= 650 МГц
[Большая Картинка]
и соответствующий ему магнитный спин-ток равен
.
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время
, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна
.
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 2х3 нм. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
: