Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 2, 3 и 4 [картинка]
На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 2, 3 и 4
вопросПравильный ответ:
верхний запоминающий слой
промежуточный слой
нижний запоминающий слой
Сложность вопроса
50
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Гранд мерси за помощь по интуиту.
27 янв 2019
Аноним
Я завалил зачёт, почему я не нашёл этот крутой сайт с решениями по интуит раньше
19 июл 2018
Аноним
Зачёт сдал. Бегу пить отмечать 4 за тест интуит
22 май 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 5,58*109 бит/см2.
- # На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 4 и 6? [Большая Картинка]
- # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м..
- # Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах , если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение , а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что , , ? Указано значение уставки .
- # На показана структура одного из участков приемного встречно-штыревого преобразователя в селекторе системы радиоидентификации багажа с фазоманипулированными сигналами. По аналогии с установите, на какой двоичный код "откликнется" соответствующий селектор. [Большая Картинка] [Большая Картинка]