Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая [формула] этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в [формула] раз превышает составляющую [формула] этого тока, пе
Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в раз превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.
вопросПравильный ответ:
33,3%
50%
66,7%
81,8%
89,5%
Сложность вопроса
74
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт всё. Иду в клуб отмечать халяву с тестами интуит
29 авг 2016
Аноним
Если бы не данные подсказки - я бы не осилил c этими тестами интуит.
03 янв 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 2? [Большая Картинка]
- # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
- # Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол = 1. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().
- # Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: с шириной запрещенной зоны 2,26 эВ?