Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Во сколько раз составляющая [формула] электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую [формула] этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным п
Во сколько раз составляющая электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока ?
вопросПравильный ответ:
в 1,35 раза
в 2,33 раза
в 4 раза
в 9 раз
в 39 раз
Сложность вопроса
64
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не данные ответы - я бы не справился c этими тестами интуит.
28 сен 2017
Аноним
Я преподаватель! Тотчас уничтожьте сайт с ответами с интуит. Пишу жалобу
06 окт 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током со степенью поляризации .
- # Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации и соответствующий ему магнитный спин-ток равен .
- # Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 7,458*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
- # Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол = 1,5. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. .