Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром [формула] и высотой [формула]. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный [формула]– магнетон Бора), на каждый
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время .
вопросПравильный ответ:
1,55 мкВт/Тл
758 нВт/Тл
340 нВт/Тл
137 нВт/Тл
84,5 нВт/Тл
Сложность вопроса
90
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не данные подсказки - я бы не смог решить c этими тестами интуит.
23 ноя 2020
Аноним
Я провалил сессию, почему я не увидел этот великолепный сайт с всеми ответами по тестам интуит до зачёта
13 сен 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Вычислите длину волны де Бройля для протонов с энергией 1 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до одного знака после запятой.
- # На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 11 [Большая Картинка]
- # Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной = 0,9, диэлектрическая постоянная среды = 4,2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 1024 х 1372 пикселя