Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры [формула](нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент [форм
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры ![math]()
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент ![math]()
на каждый атом этого элемента (![math]()
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.![math]()
.
вопрос
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент 
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
.Правильный ответ:
2,79*10-15 Дж/Тл
1,82*10-15 Дж/Тл
9,38*10-16 Дж/Тл
5,21*10-16 Дж/Тл
2,48*10-16 Дж/Тл
Сложность вопроса
79
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень элементарный вопрос intuit.
16 дек 2017
Аноним
Я завалил зачёт, какого рожна я не углядел этот великолепный сайт с решениями с тестами intuit в начале сессии
02 дек 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение
![math]()
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах
![math]()
, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение ![math]()
, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что ![math]()
, ![math]()
, ![math]()
? Указано значение уставки ![math]()
.
-
#
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол
![math]()
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол ![math]()
= 40? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 90 нм
-
#
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно
![math]()
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 32 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой. 
, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение 
, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что 
, 
, 
? Указано значение уставки 
. 
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол 
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 32 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.