Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте массу алюминия в пленке [формула] толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2 при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.
Рассчитайте массу алюминия в пленке
толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2 при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.
вопрос
Правильный ответ:
около 4 мкг
около 3 мкг
около 6 мкг
около 5 мкг
около 7 мкг
Сложность вопроса
73
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Гранд мерси за решениями по intiut'у.
22 мар 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте массу (в мкг) мышьяка в пленке
толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.
-
#
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
-
#
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы
при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2 при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.
толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.