Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилгаллия, требуемую для химического осаждения пленки GaAs толщиной 40 нм и площадью 4х6 см² с использованием реакции (CH\_3)\_3Ga+AsH\_3\backslash rightarrow\; GaAs\backslash downarrow+3CH\_4\backslash uparrow.

Правильный ответ:

• # Какое увеличение требуется для того, чтобы на экране магнитно-силового микроскопа увидеть изображение отдельных магнитных наночастиц размером 10 нм?
• # Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 7,458*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
• # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218 в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 3х4х6 нм.
• # Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданном напряжении между истоком и стоком (). .
• # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]