Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка [формула], требуемую для химического осаждения пленки [формула] толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции (CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка
, требуемую для химического осаждения пленки
толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
вопрос
Правильный ответ:
114
Сложность вопроса
92
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
ответ подошёл
23 июл 2018
Аноним
Пишет вам сотрудник деканата! Прямо сейчас заблокируйте сайт и ответы intuit. Не ломайте образование
03 апр 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 960 х 880 нм
-
#
Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданном напряжении между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]
- # Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 5 мкм; ширина 650 нм; толщина 200 нм
-
#
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы
при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
, требуемую для химического осаждения пленки
толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
,
и
) и заданном напряжении между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.