Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 70 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянн
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 70 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной ![math]()
= 1,3, диэлектрическая постоянная среды ![math]()
= 2,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
= 1,3, диэлектрическая постоянная среды 
= 2,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.Правильный ответ:
5,24
Сложность вопроса
86
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт в студне отлично. Лечу выпивать отмечать 5 за тест интуит
18 июл 2017
Аноним
Если бы не опубликованные ответы - я бы не решил c этими тестами интуит.
19 фев 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
![math]()
и высотой ![math]()
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный ![math]()
(![math]()
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время ![math]()
.
-
#
Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 6,604*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние
![math]()
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
![math]()
и ![math]()
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (![math]()
и ![math]()
) и длины межсоединения (![math]()
). ![math]()
= 3,9; ![math]()
= 80 нм; ![math]()
= 80 нм; ![math]()
= 2,66 мкОм*см; ![math]()
= 1 мм.
- # На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: [Большая Картинка] Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 1 Мбит? (ответ укажите в тысячах).
и высотой 
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный 
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 
. 
и 
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и 
) и длины межсоединения (
).