Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при комнатной температуре. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при комнатной температуре. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
6,3
Сложность вопроса
87
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил зачёт, за что я не нашёл данный сайт с решениями с тестами intuit до сессии
29 июл 2020
Аноним
Если бы не опубликованные решения - я бы не смог решить c этими тестами интуит.
28 окт 2017
Аноним
Если бы не эти ответы - я бы не смог решить c этими тестами intuit.
16 июл 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
![math]()
и высотой ![math]()
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный ![math]()
(![math]()
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
-
#
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 200 нм, длина волны
![math]()
= 600 нм, материал – алюминий (![math]()
= –51; ![math]()
= 17)
-
#
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067
![math]()
в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 2,5 нм.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) и заданных напряжениях на затворе (![math]()
) и между истоком и стоком (![math]()
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? ![math]()
.
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
![math]()
и ![math]()
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (![math]()
и ![math]()
) и длины межсоединения (![math]()
). ![math]()
= 3,1; ![math]()
= 70 нм; ![math]()
= 100 нм; ![math]()
= 2,66 мкОм*см; ![math]()
= 2 мм.
и высотой 
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный 
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. 
= 600 нм, материал – алюминий (
= –51; 
= 17) 
в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 2,5 нм. 
, 
и 
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? 
. 
и 
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и 
) и длины межсоединения (
).