Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при комнатной температуре. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в металле при комнатной температуре. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
6,3
Сложность вопроса
87
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил зачёт, за что я не нашёл данный сайт с решениями с тестами intuit до сессии
29 июл 2020
Аноним
Если бы не опубликованные решения - я бы не смог решить c этими тестами интуит.
28 окт 2017
Аноним
Если бы не эти ответы - я бы не смог решить c этими тестами intuit.
16 июл 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
- # Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 200 нм, длина волны = 600 нм, материал – алюминий ( = –51; = 17)
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067 в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 2,5 нм.
- # Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .
- # Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 3,1; = 70 нм; = 100 нм; = 2,66 мкОм*см; = 2 мм.