Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в кремнии при температуре 23 [формула]К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Вычислите длину волны де Бройля (в нм) для электронов проводимости в кремнии при температуре 23
К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
22,3
Сложность вопроса
69
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
ответ подошёл
26 окт 2017
Аноним
Спасибо за решебник по intuit.
12 сен 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте силу электрического тока в ферромагнетике, если он имеет степень поляризации
и соответствующий ему магнитный спин-ток равен
.
-
#
Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток
, в котором составляющая
, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в
раз меньше составляющей
, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
- # Какую логическую функцию выполняет приведенная на рисунке схема из КМДП логических элементов NOR и NAND? [Большая Картинка]
-
#
Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 1 Гбит при
= 4? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
-
#
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 105;
= 6х6 мм2 при
= 10?
К. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
и соответствующий ему магнитный спин-ток равен
.
, в котором составляющая
, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в
раз меньше составляющей
, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 1 Гбит при
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?