Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,067 [формула] в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 1,0 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,067
в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 1,0 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
5,62
Сложность вопроса
25
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Спасибо за помощь по интуиту.
11 июн 2020
Аноним
Я преподаватель! Прямо сейчас заблокируйте сайт с ответами intuit. Не ломайте образование
05 авг 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 3, 4, 8 и 13? [Большая Картинка]
-
#
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
-
#
Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданном напряжении между истоком и стоком (
).
.
-
#
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
= 25;
= 40 нм;
= 80 нм;
= 1,68 мкОм*см;
= 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Рассчитайте, сколько транзисторов (не учитывая блоки коммутации) имеет фоточувствительная наноэлектронная КМДП матрица: размером 1024 х 1372 пикселя
в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 1,0 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
,
и
) и заданном напряжении между истоком и стоком (
).
.
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).