Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) и заданном напряжении между истоком и стоком ([формула]
Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().
вопросПравильный ответ:
= = 33,3 мВ
= = 33 мВ
= = 33,6 мВ
= = 33,2 мВ
= = 33,3 мВ
= = 33,4 мВ
Сложность вопроса
88
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень нехитрый решебник по интуиту.
11 апр 2018
Аноним
Это было сложно
05 янв 2018
Аноним
Я преподаватель! Немедленно заблокируйте сайт и ответы интуит. Я буду жаловаться!
12 апр 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек , длина каждого бита на дорожке и расстояние между дорожками . = 90 нм, = 100 нм, = 254 нм.
- # Оцените плотность записи информации в магниторезистивном ОЗУ, в котором оптимизированная ячейка памяти имеет размеры: 960 х 880 нм
- # Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол = 1,5. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Используя результаты предыдущего упражнения, оцените порог чувствительности сенсора на кантилевере, считая, что можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц, а частота изменяется по закону , где – масса чувствительной зоны кантилевера, – масса частицы, которая к ней присоединилась. Размеры кантилевера заданы: длина 80 мкм; ширина 10 мкм; толщина 1 мкм
- # Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: с шириной запрещенной зоны 2,16 эВ?