При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 45 нм

Правильный ответ:

• # Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек , длина каждого бита на дорожке и расстояние между дорожками . = 141 нм, = 150 нм, = 350 нм.
• # Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в раз превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.
• # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 2,4 мкс, а на пластине размещается 240 СБИС?
• # Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 до 100 . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
• # Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему инвертора