Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
вопросПравильный ответ:
1573
Сложность вопроса
75
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Какой студент ищет данные вопросы с интуитом? Это же изи
07 янв 2020
Аноним
Если бы не эти подсказки - я бы не осилил c этими тестами интуит.
11 окт 2017
Аноним
Зачёт сдал. Бегу выпивать отмечать сессию интуит
03 окт 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 100 нм, а увеличение равно 45000х? Ответ введите в мм с точностью до одного знака после запятой.
- # В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 2,5 мм, увеличение 25000х.
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. .
- # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 128 Мбит при = 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.