Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
Сколько транзисторов входят в состав матрицы динамической памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).
вопросПравильный ответ:
262
Сложность вопроса
84
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не опубликованные решения - я бы сломался c этими тестами intuit.
16 окт 2019
Аноним
Это очень элементарный решебник интуит.
21 май 2019
Аноним
Пишет вам помощник профессора! Срочно уничтожьте этот ваш сайт с ответами intuit. Я буду жаловаться!
08 дек 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время
, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна
.
-
#
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной
= 0,9, диэлектрическая постоянная среды
= 4,2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: [Большая Картинка] Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.
(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент
на каждый атом этого элемента (
– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.
,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время
, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна
.
= 0,9, диэлектрическая постоянная среды
= 4,2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
.
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.