Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно [формула]. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
0,67
Сложность вопроса
78
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен прошёл на пять. Спасибо за халяуву
30 янв 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # На рисунке показана структура магнитной головки в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3 и 4? [Большая Картинка]
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
-
#
Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на
(
= 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 64 Мбита? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 2,0 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
(
= 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.