Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Правильный ответ:

• # Во сколько раз составляющая электрического тока в ферромагнетике, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, если степень поляризации этого тока ?
• # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 2,4 мкс, а на пластине размещается 240 СБИС?
• # Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданном напряжении между истоком и стоком (). .
• # Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 3,9; = 80 нм; = 80 нм; = 2,66 мкОм*см; = 1 мм.
• # На показана структура одного из участков приемного встречно-штыревого преобразователя в селекторе системы радиоидентификации багажа с фазоманипулированными сигналами. По аналогии с установите, на какой двоичный код "откликнется" соответствующий селектор. [Большая Картинка] [Большая Картинка]