Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в [формула] раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхе
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из таких вентилей размещается на кристалле площадью ? = 3*106; = 8х8 мм2 при = 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
3,05
Сложность вопроса
42
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я сотрудник деканата! Немедленно уничтожьте сайт vtone.ru с ответами на интуит. Пожалуйста
20 сен 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 600000х?
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 2? [Большая Картинка]
- # Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток , в котором составляющая , переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в раз меньше составляющей , переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
- # Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол = 1. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : .