Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в [формула] раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхе
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 3*106;
= 8х8 мм2 при
= 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
3,05
Сложность вопроса
42
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я сотрудник деканата! Немедленно уничтожьте сайт vtone.ru с ответами на интуит. Пожалуйста
20 сен 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 600000х?
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 2? [Большая Картинка]
-
#
Через пленочный проводник из намагниченного ферромагнетика протекает спин-поляризованный электрический ток
, в котором составляющая
, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в
раз меньше составляющей
, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
-
#
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол
= 1
. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
.
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
, в котором составляющая
, переносимая электронами со спином, ориентированным против магнитного поля, в
раз меньше составляющей
, переносимой электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля. Рассчитайте степень поляризации этого тока и соответствующий ему магнитный спин-ток.
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол
. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
, среднего количества
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
.