Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: при считывании сигналов в спектроанализаторе с верхней предельной частотой 160 МГц? (ответ укажите в миллионах)
Какая скорость преобразования аналоговых сигналов в цифровые коды с использованием АЦП конвейерного типа нужна: при считывании сигналов в спектроанализаторе с верхней предельной частотой 160 МГц? (ответ укажите в миллионах)
вопросПравильный ответ:
800
Сложность вопроса
88
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт всё. Лечу пить отмечать 4 за тест интуит
23 июл 2018
Аноним
Я завалил сессию, какого чёрта я не нашёл этот сайт с ответами интуит в начале года
24 июл 2017
Аноним
Экзамен сдан на 4. Спасибо сайту
18 июн 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 24, а соотношение
= 25. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током
со степенью поляризации
.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
-
#
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет
, длина доменов
, а период их расположения в строках
и в столбиках
.
-
#
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 105;
= 6х6 мм2 при
= 10?
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 24, а соотношение
= 25. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
со степенью поляризации
.
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
, длина доменов
, а период их расположения в строках
и в столбиках
.
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?