Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Схему инвертора на биполярном гетеротранзисторе

Правильный ответ:

• # Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 19 нм, а расстояние между ними 6 нм
• # Какую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход
• # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 2,4 мкс, а на пластине размещается 240 СБИС?
• # Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 70 нм, длина волны = 500 нм, материал – серебро ( = –9,5; = 0,75)
• # Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему элемента NOR на 3 входа