Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. Через ЕHF канал радиосвязи информация передавалась на волне 1,4 мм. С помощью следующего поколения гетеротранзис
Каждые "завоеванные" дополнительные 10 ГГц частотного диапазона позволяют каждую секунду передавать/принимать дополнительно 1 Гбит информации. Через ЕHF канал радиосвязи информация передавалась на волне 1,4 мм. С помощью следующего поколения гетеротранзисторов удалось перейти на более короткие радиоволны. При этом скорость передачи данных в канале возросла на 12 Гбит/с. На какую длину волны был переведен канал связи? (ответ введите в мкм).
вопросПравильный ответ:
897
Сложность вопроса
79
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен сдан на 4 с минусом.!!!
21 авг 2020
Аноним
Я провалил экзамен, почему я не увидел этот крутой сайт с всеми ответами по тестам интуит месяц назад
08 авг 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 20 нм, а увеличение равно 150000х? Ответ введите в мм.
- # Какие размеры имеет изображение участка сканирования размером 7х7 нм при увеличении 600000х?
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 7, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов , а соотношение = 8. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 90 нм
- # Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.