Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления /
Во сколько раз диаметр 3-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра его внешней электронной оболочки? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Во сколько раз диаметр 3-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра его внешней электронной оболочки? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
2,78
Сложность вопроса
80
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления
94
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень простой вопрос интуит.
03 сен 2016
Аноним
Зачёт всё. Лечу выпивать отмечать 5 за тест интуит
20 май 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Оцените собственное время переключения криотрона, у которого материал управляемой шины имеет в не сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление , толщина изоляционного слоя между шинами и толщина управляющей шины .
- # Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет . Рассчитайте минимальное изменение индукции магнитного поля, которое можно зарегистрировать с помощью такого магнитометра, если внутреннее отверстие его сквида представляет собой прямоугольник размерами: . Используйте формулу связи между величиной магнитной индукции, площадью контура и магнитным потоком сквозь него: .
- # Обозначим некоторые признаки сверхпроводящих кубитов на переходах Джозефсона (ПД) следующим образом. Число ПД в кубите: (А) 1; (Б) 2; (В) 3; (Г) 2 + один со структурой SFS. Соотношение джозефсоновской и зарядовой энергии: (а) ; (б) ; (в) ; (г) для одного и – для других ПД. Какие из этих признаков характерны для сверхпроводящих кубитов: зарядовых? Укажите соответствующие обозначения (А, Б, В, Г и а, б, в, г), например (Б + а).
- # Оцените возможное быстродействие комплементарной логики с использованием УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, при условиях, когда: напряжение питания составляет ± 1,2 В, а электрическая емкость, на которую нагружен выход логической схемы, = 500 аФ. (ответ введите в пс)
- # Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что: