Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 3 мм, увеличение 15000х.
В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 3 мм, увеличение 15000х.
вопросПравильный ответ:
400
Сложность вопроса
86
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Кто ищет вот эти ответы с интуитом? Это же изи
23 июл 2019
Аноним
Гранд мерси за подсказками по интуиту.
20 июн 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Оцените плотность (в Мбит/см2) записи информации в магниторезистивном ОЗУ 2-го поколения, в котором ключевые транзисторы имеют размеры:
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным.
-
#
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при
= 4?
- # Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 10 мкм; ширина 1 мкм; толщина 300 нм
-
#
Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника:
с шириной запрещенной зоны 2,16 эВ?
,
и
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным.
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при
с шириной запрещенной зоны 2,16 эВ?