Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. [формула
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. ![math]()
вопрос
Правильный ответ:
19
Сложность вопроса
90
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт прошёл. Мчусь выпивать отмечать 5 в зачётке по тесту
04 янв 2020
Аноним
Спасибо за ответы по интуиту.
13 апр 2017
Аноним
Я завалил зачёт, какого рожна я не нашёл данный сайт с решениями по тестам интуит в начале года
07 ноя 2015
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 1,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 70 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной
= 1,3, диэлектрическая постоянная среды
= 2,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,096
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 3х5 нм.
- # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 256 Мбит? Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
-
#
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 106;
= 6х8 мм2 при
= 7,5? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
,
и
) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. 
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 1,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
= 1,3, диэлектрическая постоянная среды
= 2,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 3х5 нм.
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?