Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов = 18, а соотношение = 12. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Правильный ответ:

• # Вычислите длину волны де Бройля для электронов с энергией 10 кэВ. Ответ (в пм) введите в виде целого числа.
• # На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 5, 6 и 7 [Большая Картинка]
• # Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
• # Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте частоту собственных колебаний кантилевера из кремния и массу его чувствительной зоны, считая, что она составляет 25% длины. Размеры кантилевера заданы: длина 25 мкм; ширина 3 мкм; толщина 600 нм