Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром [формула] нм и высотой [формула]. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный [формула]– магнетон Бора), на кажд
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром нм и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время .
вопросПравильный ответ:
1,55 мкВт/Тл
758 нВт/Тл
340 нВт/Тл
137 нВт/Тл
84,5 нВт/Тл
Сложность вопроса
75
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Зачёт защитил. Мчусь пить отмечать экзамен intuit
07 май 2018
Аноним
Я сотрудник деканата! Немедленно сотрите этот ваш сайт с ответами intuit. Не ломайте образование
11 фев 2018
Аноним
Кто ищет эти вопросы интуит? Это же элементарно
26 дек 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/нормальный металл" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 35. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 5 и 9? [Большая Картинка]
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 90 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 45 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.