Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 [формула] в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
5,66
Сложность вопроса
88
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Большое спасибо за тесты по intuit.
26 янв 2019
Аноним
Я помощник профессора! Прямо сейчас уничтожьте ответы интуит. Я буду жаловаться!
31 июл 2018
Аноним
Очень сложные тесты
20 мар 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 22, а соотношение
= 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
-
#
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
,
и
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
-
#
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 105;
= 6х6 мм2 при
= 10?
в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов
= 22, а соотношение
= 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
,
,
) и между истоком и стоком (
).
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?