Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 [формула] в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1х1,5 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
5,66
Сложность вопроса
88
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Большое спасибо за тесты по intuit.
26 янв 2019
Аноним
Я помощник профессора! Прямо сейчас уничтожьте ответы интуит. Я буду жаловаться!
31 июл 2018
Аноним
Очень сложные тесты
20 мар 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте, во сколько раз уменьшается электрическое сопротивление туннельной магниторезистивной сверхрешетки из прослоек "ферромагнитный металл/диэлектрик" при наличии насыщающего магнитного поля по сравнению с сопротивлением при отсутствии магнитного поля в случае, если соотношение удельных сопротивлений ферромагнетика для электронов проводимости со спином, ориентированным против и вдоль направления намагниченности, равно 14, соотношение электрических сопротивлений туннельных переходов = 22, а соотношение = 18. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. .
- # Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, , и ) и заданных напряжениях на затворах () и между истоком и стоком (). . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из таких вентилей размещается на кристалле площадью ? = 105; = 6х6 мм2 при = 10?