Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром [формула] и высотой [формула]. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный [формула]– магнетон Бора), на каждый
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
вопросПравильный ответ:
401 мА
131 мА
35 мА
5,9 мА
970 мкА
Сложность вопроса
80
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Гранд мерси за ответы по интуит.
19 июл 2020
Аноним
Кто ищет вот эти ответы интуит? Это же не сложно
13 ноя 2015
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 30 нм, а расстояние между ними 15 нм
- # Рассчитайте магнитный спин-ток, переносимый в ферромагнетике спин-поляризованным электрическим током со степенью поляризации .
- # Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 248) и иммерсионной жидкости с показателем преломления 1,4
- # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: с шириной запрещенной зоны 1,91 эВ?