Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм[формула], среднего количества [формула] транзисторов на этой площади, тактовой частоты [формула], суммарной электрической емкости [формула], на которую нагружен выход транзистора, и
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
94,5
Сложность вопроса
73
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Большое спасибо за ответы по intiut'у.
02 ноя 2018
Аноним
Я помощник профессора! Немедленно удалите этот ваш сайт с ответами по интуит. Не ломайте образование
09 фев 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте ширину магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке
= 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск
= 4,6*109 бит/дюйм2.
- # На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3? [Большая Картинка]
-
#
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок?
.
-
#
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и
) и длины межсоединения (
).
= 3,9;
= 100 нм;
= 120 нм;
= 2,66 мкОм*см;
= 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 73,6-84,5 ГГц. (ответ введите в см).
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
= 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск
= 4,6*109 бит/дюйм2.
,
и
) и заданных напряжениях на затворе (
) и между истоком и стоком (
.
и
), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (
и