Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм[формула], среднего количества [формула] транзисторов на этой площади, тактовой частоты [формула], суммарной электрической емкости [формула], на которую нагружен выход транзистора, и
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
94,5
Сложность вопроса
73
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Большое спасибо за ответы по intiut'у.
02 ноя 2018
Аноним
Я помощник профессора! Немедленно удалите этот ваш сайт с ответами по интуит. Не ломайте образование
09 фев 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Рассчитайте ширину магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке = 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск = 4,6*109 бит/дюйм2.
- # На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 3? [Большая Картинка]
- # Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .
- # Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 3,9; = 100 нм; = 120 нм; = 2,66 мкОм*см; = 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Размер антенны радиолокатора в диапазоне супервысоких частот и выше должен в 30 раз превосходить длину радиоволны, на которой он работает, оцените размер антенны радиолокатора, который работает на частотах 73,6-84,5 ГГц. (ответ введите в см).