Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см[формула], длина доменов [формула], а период их расположения в строках [формула] и в столбиках [формула].
Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет
, длина доменов
, а период их расположения в строках
и в столбиках
.
вопрос
Правильный ответ:
50 Гбит/см2
110 Гбит/см2
208 Гбит/см2
444 Гбит/см2
2000 Гбит/см2
Сложность вопроса
92
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я сотрудник университета! Немедленно уничтожьте сайт и ответы интуит. Не ломайте образование
26 фев 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте ширину магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке
= 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск
= 4,6*109 бит/дюйм2.
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
-
#
Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при
= 5?
-
#
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 105;
= 6х6 мм2 при
= 10?
-
#
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в
раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?
= 106;
= 6х8 мм2 при
= 7,5? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
, длина доменов
, а период их расположения в строках
и в столбиках
.
= 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск
= 4,6*109 бит/дюйм2.
и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при
таких вентилей размещается на кристалле площадью
?