Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в [формула] раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхе
Площадь кристалла программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) в раз превышает площадь, занятую программируемыми логическими матрицами. Какая площадь (кв. мкм.) приходится в среднем на один эквивалентный логический вентиль, если микросхема из таких вентилей размещается на кристалле площадью ? = 106; = 6х8 мм2 при = 7,5? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопросПравильный ответ:
6,4
Сложность вопроса
81
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Кто находит данные ответы inuit? Это же безумно легко
04 ноя 2019
Аноним
Я преподаватель! Тотчас удалите этот ваш сайт с ответами intuit. Пишу жалобу
23 мар 2018
Аноним
Я провалил зачёт, какого рожна я не нашёл данный сайт с всеми ответами интуит в начале года
13 сен 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # В оптическом микроскопе ближнего поля в режиме просачивания получили изображение стоячей плазмонной волны. Вычислите длину волны плазмонов (в нм), если расстояние между пучностями волны на изображении составляет 4 мм, увеличение 80000х.
- # Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 1,36*109 бит/см2.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 5 и 9? [Большая Картинка]
- # Рассчитайте величину электрического тока (пА), который протекает сквозь наноэлектромеханический транзистор, изображенный на рисунке, если известна частота его колебаний : = 230 МГц [Большая Картинка] Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Начертите принципиальную электрическую схему или структуру полупроводникового инвертора с использованием двойного туннельного барьера с квантово-размерным промежуточным слоем (ДТБР): Структуру инвертора на полевом гетеротранзисторе с затвором Шоттки (ПГТЗШ)