Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход [формула]
акую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход
вопросПравильный ответ:
Сложность вопроса
27
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен сдан на отлично.!!!
27 окт 2020
Аноним
Гранд мерси за решениями по intiut'у.
23 июн 2020
Аноним
ответ подошёл
06 ноя 2019
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи.
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-поляризованного электрического тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время 1 нс, если степень поляризации тока равна
- # Оцените минимальный размер элементов (в нм), которые можно сформировать с помощью фотолитографического процесса при применении: эксимерных лазеров на ( = 197)
- # Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 200 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 до 100 . Ответ введите с точностью до одного знака после запятой. . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Сколько транзисторов входят в состав матрицы статической оперативной памяти на 256 кбит? (ответ укажите в тысячах).