Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах [формула], если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение [формула], а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что [формула]? Указано значение уставки
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах , если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение , а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что , , ? Указано значение уставки .
вопросПравильный ответ:
"0"
"1"
Сложность вопроса
82
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень не сложный решебник intuit.
29 сен 2018
Аноним
Это очень намудрённый вопрос по интуиту.
20 авг 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Вычислите длину волны де Бройля для ионов фосфора с энергией 1 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Представьте плотность записи информации на магнитный диск, заданную в единицах "бит/дюйм2", в единицах "бит/см2" или наоборот. 4,6*109 бит/дюйм2.
- # С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается секунд? = 125000; = 0,85 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 6х10 нм.
- # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 90 нм