Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 90 нм
При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 90 нм
вопросПравильный ответ:
9,7*104 транзисторов/мм2
9,8*104 транзисторов/мм2
9,9*104 транзисторов/мм2
9,5*104 транзисторов/мм2
9,2*104 транзисторов/мм2
Сложность вопроса
91
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я провалил сессию, за что я не увидел этот крутой сайт с ответами по тестам интуит в начале года
01 июл 2020
Аноним
Экзамен сдан на пять с минусом. Спасибо vtone
23 июл 2019
Аноним
спасибо
10 мар 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент на каждый атом этого элемента (– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна .
- # Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. .
- # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 256 Мбит при = 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при = 5?
- # Для передачи одного канала цифрового телевидения высокой четкости (HD канала) нужна полоса частот 125 МГц. Благодаря использованию наноэлектронных гетеротранзисторов частоту трансляции спутникового телевидения удалось повысить так, что максимальная частота модуляции сигналов возросла от 6 ГГц до 26 ГГц. Сколько HD каналов можно теперь дополнительно транслировать через спутник, если на их трансляцию используют 15% дополнительной частотной полосы?