Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Оцените, с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если: лазерный диод излучает свет на частоте 7,973*10[формула]
Оцените, с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если: лазерный диод излучает свет на частоте 7,973*1014 Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние ![math]()
вопрос
Правильный ответ:
6
Сложность вопроса
88
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен прошёл на пять. лол
04 июн 2020
Аноним
спасибо
10 мар 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какие размеры имеет изображение вирусов в растровом электронном микроскопе, если их натуральный размер составляет 80 нм, а увеличение равно 50000х? Ответ введите в мм.
- # Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 25 нм, а расстояние между ними 10 нм
-
#
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол
= 1
. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
-
#
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
-
#
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
:
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол
. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
,
и
) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон.
.
, среднего количества
транзисторов на этой площади, тактовой частоты
, суммарной электрической емкости
, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.