Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. .

Правильный ответ:

• # При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 7200 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 35 мм, а ширина лазерного пучка 850 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
• # Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. .
• # Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 3,9; = 80 нм; = 80 нм; = 2,66 мкОм*см; = 1 мм.
• # Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания , среднего количества транзисторов на этой площади, тактовой частоты , суммарной электрической емкости , на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте : .
• # На показана структура одного из участков приемного встречно-штыревого преобразователя в селекторе системы радиоидентификации багажа с фазоманипулированными сигналами. По аналогии с установите, на какой двоичный код "откликнется" соответствующий селектор. [Большая Картинка] [Большая Картинка]