Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол [формула], если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол [формула] = 2,5[формула]. Ответ введ
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол
= 2,5
. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
вопрос
Правильный ответ:
12,4
Сложность вопроса
94
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я сотрудник университета! Срочно удалите сайт vtone.ru с ответами с интуит. Не ломайте образование
02 дек 2020
Аноним
Экзамен сдал на пять. Спасибо за халяуву
07 авг 2020
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте, во сколько раз возрастает величина тока при уменьшении расстояния
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 1,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 10-12, 14 и 15? [Большая Картинка]
-
#
Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром
нм и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
-
#
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,218
в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 3х4х6 нм.
- # На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: [Большая Картинка] Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.
, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол
. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
на 0,1 нм при условии, что работа выхода
электронов из острия зонда составляет 1,5 эВ. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
нм и высотой
. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный
(
– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время
.
в идеализированной квантовой точке, если ее размеры составляют 3х4х6 нм.