Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,096 [формула] в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 3х5 нм.
Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 3х5 нм.
вопросПравильный ответ:
593
Сложность вопроса
68
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я помощник профессора! Оперативно уничтожьте ответы с интуит. Не ломайте образование
05 мар 2018
Аноним
Я провалил сессию, почему я не нашёл данный сайт с решениями по тестам интуит до сессии
03 мар 2017
Аноним
Если бы не эти ответы - я бы не смог решить c этими тестами интуит.
29 апр 2016
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром и высотой . Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный (– магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время .
- # Рассчитайте поверхностную плотность (в Гбит/см2) хранения информации в "объемной" трековой памяти, если высота ферромагнитных нанопроволок U-образной формы составляет , длина доменов , а период их расположения в строках и в столбиках .
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 2х3 нм. Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.
- # Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм2. Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 128 Мбит при = 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Скорость распространения поверхностной акустической волны (ПАВ) составляет 2860 м/с, рассчитайте максимальную частоту ПАВ (ГГц), если для изготовления встречно-штыревого преобразователя применяют технологию с проектно-технологической нормой 22 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.