Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) и заданных напряжениях на затворах ([формула]) и между исто
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (![math]()
, ![math]()
, ![math]()
и ![math]()
) и заданных напряжениях на затворах (![math]()
) и между истоком и стоком (![math]()
). ![math]()
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
вопрос
, 
, 
и 
) и заданных напряжениях на затворах (
) и между истоком и стоком (
). 
. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.Правильный ответ:
32,8
Сложность вопроса
50
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен сдан на 4. Спасибо за халяуву
10 окт 2018
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
-
#
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек
![math]()
, длина каждого бита на дорожке ![math]()
и расстояние между дорожками ![math]()
. ![math]()
= 200 нм, ![math]()
= 200 нм, ![math]()
= 500 нм.
-
#
Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек
![math]()
, длина каждого бита на дорожке ![math]()
и расстояние между дорожками ![math]()
. ![math]()
= 90 нм, ![math]()
= 100 нм, ![math]()
= 254 нм.
- # На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 2, 3 и 4 [Большая Картинка]
- # На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? 5, 6 и 7 [Большая Картинка]
- # На рисунке показана структура ячейки магниторезистивного ОЗУ с резонансным туннельным переходом. Какие функциональные элементы обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 8 и 10 [Большая Картинка]
, длина каждого бита на дорожке 
и расстояние между дорожками 
.