Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. [формула
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. .
вопросПравильный ответ:
25
Сложность вопроса
85
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Я завалил экзамен, почему я не увидел этот крутой сайт с ответами интуит до зачёта
18 апр 2018
Аноним
Экзамен прошёл и ладушки. Ура
28 фев 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Оцените теоретически возможную плотность записи информации на магнитный диск, в котором магнитожесткий запоминающий слой сформирован в виде массива наностолбиков, если диаметр наностолбиков составляет 19 нм, а расстояние между ними 6 нм
- # Определите, какую логическую функцию выполняет приведенная схема из двух спиновых вентилей СВ8. [Большая Картинка]
- # Какую логическую функцию реализует сеть наномагнитов, показанная на рисунке и каким будет выход
- # Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .
- # Одна ячейка наноэлектронной NAND флеш-памяти занимает площадь приблизительно 2800 нм2. Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NAND флеш-памяти на 512 Мбит? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.