Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) и заданных напряжениях на затворе ([формула]) и между истоком и стоком ([формула]).
Рассчитайте электрический потенциал наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданных напряжениях на затворе () и между истоком и стоком (). Будет ли происходить в этих условиях туннелирование электрона из истока на наноостровок? .
вопросПравильный ответ:
24,4 мВ; не будет
24,6 мВ; не будет
24,2 мВ; не будет
24,4 мВ; будет
24,6 мВ; будет
24,2 мВ; будет
Сложность вопроса
73
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Это очень простецкий тест intuit.
26 июн 2019
Аноним
Экзамен сдал на пять с минусом. Спасибо за ответы
26 дек 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Вычислите длину волны де Бройля для протонов с энергией 100 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до второго знака после запятой.
- # При использовании технологии локального нагрева участка записи последний проходит под лазерным нагревателем на протяжении короткого времени. Рассчитайте время (в нс) нагрева при условиях если скорость вращения магнитного диска составляет 7200 оборотов/мин., радиус магнитной дорожки 35 мм, а ширина лазерного пучка 850 нм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,096 в идеализированной квантовой линии, если ее размеры составляют 1,5х2 нм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Рассчитайте потенциал (в мВ) открывания одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (, и ) и заданном напряжении между истоком и стоком (). . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
- # Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 45 нм