Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ([формула]) и заданном напряжении между истоком и стоком ([формула]
Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().
вопросПравильный ответ:
= 54 мВ; = 40 мВ
= 50 мВ; = 40 мВ
= 58 мВ; = 40 мВ
= 55 мВ; = 42 мВ
= 56 мВ; = 42 мВ
= 57 мВ; = 42 мВ
Сложность вопроса
83
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Если бы не данные подсказки - я бы не справился c этими тестами интуит.
17 авг 2018
Аноним
Экзамен прошёл на 5. Спасибо vtone
14 янв 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # Какая схема из двух спиновых вентилей СВ8, выполняет логическую функцию ?
- # Сколько часов нужно для экспонирования в электронолитографическом комплексе изображения шаблона одного из топологических слоев сверхбольшой интегральной схемы (СБИС), состоящего из 160 млн. прямоугольников, если: на экспонирование одного прямоугольника требуется 1,2 мкс, а на пластине вмещается 400 СБИС? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
- # Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при = 5?
- # Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм2 в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при = 4?
- # Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: с шириной запрещенной зоны 2,16 эВ?