Главная /
Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков /
Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических
Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 64 нм
вопросПравильный ответ:
240 тыс. лог. элементов/мм2
200 тыс. лог. элементов/мм2
280 тыс. лог. элементов/мм2
210 тыс. лог. элементов/мм2
290 тыс. лог. элементов/мм2
300 тыс. лог. элементов/мм2
Сложность вопроса
56
Сложность курса: Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков
50
Оценить вопрос
Комментарии:
Аноним
Экзамен сдан на пять с минусом. лол
26 окт 2019
Аноним
Я завалил экзамен, за что я не углядел этот великолепный сайт с решениями с тестами intuit раньше
12 окт 2017
Другие ответы на вопросы из темы аппаратное обеспечение интуит.
- # На рисунке показана наноархитектура магнитного покрытия дисков в накопителях с "перпендикулярной" записью информации. Какие элементы покрытия обозначены здесь указанными номерами? Какую функцию они выполняют? 1 и 2? [Большая Картинка]
- # Рассчитайте степень поляризации электрического тока в ферромагнетике, если составляющая этого тока, переносимая электронами со спином, ориентированным в направлении магнитного поля, в раз превышает составляющую этого тока, переносимую электронами со спином, ориентированным против магнитного поля.
- # Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной = 1,3, диэлектрическая постоянная среды = 3,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
- # Рассчитайте потенциалы открывания одноэлектронного транзистора для каждого из затворов при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( и ) и заданном напряжении между истоком и стоком ().
- # На примере упрощенной "черно-белой" фоточувствительной КМДП матрицы размером 8 х 5 пикселей запишите ее выходной видеосигнал в случае, когда на нее проектируется следующее изображение: [Большая Картинка] Для записи используйте следующее кодирование: "НК" - строб-импульс начала кадра, "С" - строб-импульс окончания строки, "КК" - строб-импульс конца кадра, "0" - сигнал от темного пикселя, "1" - сигнал от светлого пикселя.