Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 256 Мбит при = 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Правильный ответ:

• # Вычислите длину волны де Бройля для ионов бора с энергией 100 кэВ. Ответ (в пм) введите с точностью до третьего знака после запятой.
• # Какова продолжительность периода считывания информации в трековой памяти, если скорость перемещения доменов в ферромагнитной нанопроволоке составляет , а длина каждого домена ?
• # При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*104 МДП транзисторов/мм2. Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 32 нм
• # Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости.
• # Начертите принципиальные электрические схемы логических элементов на полевых гетеротранзисторах с затвором Шоттки (ПГТЗШ): Схему инвертора